Cieszę się, że wywołałem małą dyskusję.
upek pisze:1. Większa powierzchnia ścieżek nie jest potrzebna
2. Powierzchnia pod thermalpadem jest większa (co przkłada się na lepsze chłodzenie diody)
Co do pada pod diodą nie miałem wątpliwości, ale odchodzące od niego płaty miedzi mają już raczej znikomy wpływ na chłodzenie. Większa powierzchnia ścieżek może nie jest potrzebna, ale skoro jest miejsce to dlaczego ją ograniczać? W dodatku ścieżki nie są poprowadzone w linii prostej między polami lutowniczymi i diodą.
greg pisze:Spadek napięcia na tych ścieżkach przy prądzie 3A wyniesie 25mV, czyli jest pomijalny.
Wartość wydaje się dość mała, ale przy takich parametrach na samych ścieżkach wydziela się moc 75mW, a to już ponad połowa maksymalnej mocy jaka może wydzielić się na małym rezystorze.
Rozumiem, że nie ma konieczności zwiększania przekroju ścieżek, ale zastanawia mnie dlaczego przy wszelkiego rodzaju konstrukcjach o większej mocy szczególna uwaga zwracana jest na dobre kontakty stykowe, odpowiednie przewody, a w przypadku diod cała ta 'troska' odkładana jest na bok. Przecież takie podłoża są wykorzystywane przez spore firmy z dużym doświadczeniem. Najbardziej zagadkowe są podłoża jak to poniżej. Jaki jest sens robienia przewężenia w doprowadzeniach?
