[DIY] Mikroprocesorowy miernik pojemności
Jakiś czas temu zrobiłem(no wprawdzie jeszcze obudowa nieskończona...) obciążenie aktywne 50A/1500W, nawet ostatnio pomęczyłem 60A/12V.wkliw pisze:Mi się marzy rozładowywarka z pomiarem o prądzie rozładowania max przynajmniej z 15A
Do tego celu użyłem mosfetów PRZYLUTOWANYCH do miedzianej rurki przez którą płynie woda z kraniku.
Projekt jest tak abstrakcyjny że jak o takie coś pytałem na elektrodzie to mówili że to niemożliwe, nie da się, mosfety się spalą, idź poczytaj, tematy leciały do kosza, jak by chcieli mnie zaraz spalić na stosie, więc się ewakuowałem do amerykańskiego forum dzięki któremu zrobiłem to urządzenie:
http://www.electro-tech-online.com/thre ... ad.135945/
Doctore, czy możesz mi wyjaśnić dlaczego postanowiłeś w swoim obciążeniu dla każdego tranzystora dać osobny wzmacniacz operacyjny? Czy jest coś złego w tym aby 1 WO sterował kilkoma (4-6) tranzystorami?
Będę przebudowywał moje obciążenie http://www.swiatelka.pl/viewtopic.php?p=86896#86896 i zastanawiam się która opcja będzie lepsza.
Będę przebudowywał moje obciążenie http://www.swiatelka.pl/viewtopic.php?p=86896#86896 i zastanawiam się która opcja będzie lepsza.
Nie wyrażam zgody na wykorzystywanie moich zdjęć w jakiejkolwiek formie bez mojej wiedzy, szczególnie nie życzę sobie czerpania za ich pomocą korzyści finansowych przez osoby trzecie.
Hej,
Przepraszam, że odkopuje stary temat, ale jest w nim co potrzebuję
Do sedna...
Może ktoś podpowiedzieć jak zrobić tylko pomiar pojemności akumulatora (Li-Ion 3,7V) w BASCOM?
Tzn. na LCD ma być tylko pojemność aku w mAh
Jak to podłączyć i co pozostawić z kodu (pierwszy post)
Z góry dziękuję i pozdrawiam.
Piotr
Przepraszam, że odkopuje stary temat, ale jest w nim co potrzebuję
Do sedna...
Może ktoś podpowiedzieć jak zrobić tylko pomiar pojemności akumulatora (Li-Ion 3,7V) w BASCOM?
Tzn. na LCD ma być tylko pojemność aku w mAh
Jak to podłączyć i co pozostawić z kodu (pierwszy post)
Z góry dziękuję i pozdrawiam.
Piotr
Witam
W momencie nastania ery tranzystorów bipolarnych, które to sterowane są prądowo, zjawisko to stało się marginalne, i zapomniane. Powtórnie wróciło, po pojawieniu się tranzystorów polowych (MOS), gdyż "wróciła" wysoka impedancja wejściowa, i sterowanie napięciowe.
szeroko stosowanym środkiem zaradczym, jest wprowadzenie dodatkowej rezystancji pasożytniczej, tłumiącej drgania rezonansowe. W związku z tym, dodawano rezystory szeregowe, tuż przy wyprowadzeniach siatek sterujących (teraz bramek), aby ewentualne oscylacje szybko wygasły. W związku z tym, że elementy czynne, sterowane są (w tych przypadkach) napięciowo, tzn. pobierają bardzo mały prąd na wejściu, to wpływ rezystora szeregowego, był pomijalny. Jeśli jednak doszło by do wzbudzenia oscylacji, w obwodzie wejściowym, to powodowały one przepływ sporego prądu, a rezystor, wprowadzał wtedy spore straty.
Rezystory antyparazytowe, pasożytnicze, siatkowe, mają wartość dość sporą, kilka do kilkudziesięciu kΩ, i niestety, nie ma wzorów, do wyliczenia tej wartości, gdyż wiąże się ona z częstotliwością wzbudzania, a ta zależna jest od wielu czynników konstrukcyjnych (długość i przebieg ścieżek, przewodów itp.)
Szukaj pod hasłem "rezystor antyparazytowy", "rezystor siatkowy", "rezystor bramkowy mosfet", "grid stopper resistor".
Pozdrawiam
Zjawisko wzbudzania się elementów czynnych na wysokich częstotliwościach, znane jest od bardzo dawna. Chodzi o to, że pojemność wejściowa, w połączeniu z indukcyjnością połączeń, tworzą układ rezonansowy, wzbudzany szybkimi zmianami sygnału. Szczególnie często, występowało ono w obwodach z lampami elektronowymi, gdzie bardzo wysoka impedancja wejściowa, pozwalała na długie utrzymywanie się wzbudzenia, czasem nawet jeśli dostało się jakieś małe sprzężenia poprzez indukcyjności lub pojemności przewodów, dochodziło do zniszczenia elementów.lumenoman pisze:Jak się stosuje te rezystory? Jakiś artykuł/książka na ten temat?
W momencie nastania ery tranzystorów bipolarnych, które to sterowane są prądowo, zjawisko to stało się marginalne, i zapomniane. Powtórnie wróciło, po pojawieniu się tranzystorów polowych (MOS), gdyż "wróciła" wysoka impedancja wejściowa, i sterowanie napięciowe.
szeroko stosowanym środkiem zaradczym, jest wprowadzenie dodatkowej rezystancji pasożytniczej, tłumiącej drgania rezonansowe. W związku z tym, dodawano rezystory szeregowe, tuż przy wyprowadzeniach siatek sterujących (teraz bramek), aby ewentualne oscylacje szybko wygasły. W związku z tym, że elementy czynne, sterowane są (w tych przypadkach) napięciowo, tzn. pobierają bardzo mały prąd na wejściu, to wpływ rezystora szeregowego, był pomijalny. Jeśli jednak doszło by do wzbudzenia oscylacji, w obwodzie wejściowym, to powodowały one przepływ sporego prądu, a rezystor, wprowadzał wtedy spore straty.
Rezystory antyparazytowe, pasożytnicze, siatkowe, mają wartość dość sporą, kilka do kilkudziesięciu kΩ, i niestety, nie ma wzorów, do wyliczenia tej wartości, gdyż wiąże się ona z częstotliwością wzbudzania, a ta zależna jest od wielu czynników konstrukcyjnych (długość i przebieg ścieżek, przewodów itp.)
Szukaj pod hasłem "rezystor antyparazytowy", "rezystor siatkowy", "rezystor bramkowy mosfet", "grid stopper resistor".
Pozdrawiam
Izali miecz godniejszy niżli topór w boju?
Piszmy po polsku, wszak jesteśmy Polakami.
Piszmy po polsku, wszak jesteśmy Polakami.