No niestety IRFL014 nie za bardzo się nadaje do światełek, choć często stosowany w twardych dyskach, ale tam Uz=12V
A tu popatrz:
Dokumentacja, pierwsza charakterystyka:
Najniższa krzywa oznacza napięcie bramki 4,5V, czyli jest to w zasadzie najniższe przewidziane przez producenta użyteczne napięcie sterowania, ale spójż dalej, 400mA to już napięcia źródło-dren o wartości 0,7V, czyli tyle muszisz liczyć spadku.
Kolejna charakterystyka w datasheet (nr 3.) określa nam dla jakiego napięcia sterującego uzyskujemy określony prąd drenu, gdzie można łatwo odczytać, że dla 1A potrzebujemy sterowanie ok. 4,7V. Wszystko dla czasu impulsu 20µS co nie jest tak mało w naszych warunkach (impuls długości 1 działki na moich oscylogramach)
Podobne wartości uzyskasz dla tranzystorów NPN - np: wspomniany kiedyś 2n2222.
Ale dokumentacja podaje Ucesat 1V


A weźmy teraz taki SI4410 (dostępny na serwisach aukcyjnych) co prawda w obudowie SO8 osiąga prąd 5A dla Usd = 0,25V i Ugs=2,6V; czyli już wartości jak najbardziej do przyjęcia w naszych warunkach.
No a gdybyśmy porównali to z SI2312 to... masakra, ten ma już przy napięciu sterującycm rzędu 1,8V Rdson=0,047Ω

Jak więc widzisz Calineczka ma absolutną rację....
PS:

